Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

sales@angeltondal.com

86-755-89992216

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.
Homeמוצריםאביזרי מודול חכם תעשייתימפרטי מודול זיכרון DDR3 UDIMM

מפרטי מודול זיכרון DDR3 UDIMM

סוג תשלום:
L/C,T/T,D/A
Incoterm:
FOB,EXW,CIF
Min. להזמין:
1 Piece/Pieces
הוֹבָלָה:
Ocean,Air,Express,Land
  • תיאור מוצר
Overview
תכונות המוצר

מספר דגם.NSO4GU3AB

יכולת אספקה ומידע נוס...

הוֹבָלָהOcean,Air,Express,Land

סוג תשלוםL/C,T/T,D/A

IncotermFOB,EXW,CIF

אריזה ומשלוח
מכירת יחידות:
Piece/Pieces

4GB 1600MHz 240 פינים DDR3 UDIMM


היסטוריה של עדכון

Revision No.

History

Draft Date

Remark

1.0

Initial Release

Apr. 2022

 

טבלת מידע על הזמנה

Model

Density

Speed

Organization

Component Composition

NS04GU3AB

4GB

1600MHz

512Mx64bit

DDR3 256Mx8 *16


תיאור
Hengstar DDR3 SDRAM DIMMs ללא דרישה (קצב נתונים כפול לא מפוצץ, מודולי זיכרון כפולים כפולים בשורה כפולה) הם מודולי זיכרון עם הפעלה במהירות גבוהה המשתמשות במכשירי SDRAM DDR3. NS04GU3AB הוא 512 מ 'x 64 סיביות שני דרגות 4 ג'יגה-בייט DDR3-1600 CL11 1.5V SDRAM מוצר DIMM ללא פגיעה, מבוסס על רכיבי FBGA של שישה עשר 256 מ' x 8 סיביות. ה- SPD מתוכנת לתזמון ה- DDR3-1600 הסטנדרטי של JEDEC Standard DDR3-1600 של 11-11-11 ב 1.5 וולט. כל DIMM בן 240 פינים משתמש באצבעות מגע זהב. DIMM של SDRAM Unfuffed מיועד לשימוש כזיכרון ראשי כאשר הוא מותקן במערכות כמו מחשבים אישיים ותחנות עבודה.


מאפיינים
Supply אספקת כוח: VDD = 1.5V (1.425V עד 1.575V)
 VDDQ = 1.5V (1.425V עד 1.575V)
800MHz FCK עבור 1600MB/SEC/PIN
8 בנק פנימי עצמאי
 השהיית CAS המתוכננת: 11, 10, 9, 8, 7, 6
 חביון תוסף לתכנות: 0, Cl - 2 או Cl - שעון 1
8 סיביות קדם-פץ '
 אורך התפרצות: 8 (זה בזה ללא גבול, ברצף עם כתובת ההתחלה "000" בלבד), 4 עם TCCD = 4 שאינו מאפשר קריאה או כותבים חלקים [בזבוב באמצעות A12 או MRS]
Strobe Differential Differential Strobe
Cullation כיול פנימי (עצמי); כיול עצמי פנימי דרך סיכת ZQ (RZQ: 240 אוהם ± 1%)
סיום הפסקות באמצעות סיכת ODT
 תקופת רענון ממוצעת 7.8US בתשנית נמוכה מ- TCASE 85 מעלות צלזיוס, 3.9US ב 85 מעלות צלזיוס <tcase <95 מעלות צלזיוס
 איפוס אסינכרוני
Contranct
Topology Topology-By
 PCB: גובה 1.18 "(30 מ"מ)
 ROHS תואם ונטול הלוגן


פרמטרי תזמון מפתח

MT/s

tRCD(ns)

tRP(ns)

tRC(ns)

CL-tRCD-tRP

DDR3-1600

13.125

13.125

48.125

2011/11/11


טבלת כתובת

Configuration

Refresh count

Row address

Device bank address

Device configuration

Column Address

Module rank address

4GB

8K

32K A[14:0]

8 BA[2:0]

2Gb (256 Meg x 8)

1K A[9:0]

2 S#[1:0]


תיאורי סיכה

Symbol

Type

Description

Ax

Input

Address inputs: Provide the row address  for ACTIVE commands, and the column
address and auto precharge bit (A10) for READ/WRITE commands, to select one location
out of the memory array in the respective bank. A10 sampled during a PRECHARGE
command determines whether the PRECHARGE applies to one bank (A10 LOW, bank
selected by BAx) or all banks (A10 HIGH). The address inputs also provide the op-code
during a LOAD MODE command. See the Pin Assignments table for density-specific
addressing information.

BAx

Input

Bank address inputs: Define the device bank to which an ACTIVE, READ, WRITE, or
PRECHARGE command is being applied. BA define which mode register (MR0, MR1,
MR2, or MR3) is loaded during the LOAD MODE command.

CKx,
CKx#

Input

Clock: Differential clock inputs. All control, command, and address input signals are
sampled on the crossing of the positive edge of CK and the negative edge of CK#.

CKEx

Input

Clock enable: Enables (registered HIGH) and disables (registered LOW) internal circuitry
and clocks on the DRAM.

DMx

Input

Data mask (x8 devices only): DM is an input mask signal for write data. Input data is
masked when DM is sampled HIGH, along with that input data, during a write access.
Although DM pins are input-only, DM loading is designed to match that of the DQ and DQS pins.

ODTx

Input

On-die  termination:  Enables  (registered  HIGH)  and  disables  (registered  LOW)
termination resistance internal to the DDR3 SDRAM. When enabled in normal operation,
ODT is only applied to the following pins: DQ, DQS, DQS#, DM, and CB. The ODT input will be ignored if disabled via the LOAD MODE command.

Par_In

Input

Parity input: Parity bit for Ax, RAS#, CAS#, and WE#.

RAS#,
CAS#,
WE#

Input

Command inputs: RAS#, CAS#, and WE# (along with S#) define the command being
entered.

RESET#

Input
(LVCMOS)

Reset: RESET# is an active LOW asychronous input that is connected to each DRAM and
the registering clock driver. After RESET# goes HIGH, the DRAM must be reinitialized as
though a normal power-up was executed.

Sx#

Input

Chip select: Enables (registered LOW) and disables (registered HIGH) the command
decoder.

SAx

Input

Serial address inputs: Used to configure the temperature sensor/SPD EEPROM address
range on the I2C bus.

SCL

Input

Serial
communication to and from the temperature sensor/SPD EEPROM on the I2C bus.

CBx

I/O

Check bits: Used for system error detection and correction.

DQx

I/O

Data input/output: Bidirectional data bus.

DQSx,
DQSx#

I/O

Data strobe: Differential data strobes. Output with read data; edge-aligned with read data;
input with write data; center-alig

SDA

I/O

Serial
sensor/SPD EEPROM on the I2C bus.

TDQSx,
TDQSx#

Output

Redundant data strobe (x8 devices only): TDQS is enabled/disabled via the LOAD
MODE command to the extended mode register (EMR). When TDQS is enabled, DM is
disabled and TDQS and TDQS# provide termination resistance; otherwise, TDQS# are no
function.

Err_Out#

Output (open
drain)

Parity error output: Parity error found on the command and address bus.

EVENT#

Output (open
drain)

Temperature event: The EVENT# pin is asserted by the temperature sensor when critical
temperature thresholds have been exceeded.

VDD

Supply

Power supply: 1.35V (1.283–1.45V) backward-compatible to 1.5V (1.425–1.575V). The
component VDD and VDDQ are connected to the module VDD.

VDDSPD

Supply

Temperature sensor/SPD EEPROM power supply: 3.0–3.6V.

VREFCA

Supply

Reference voltage: Control, command, and address VDD/2.

VREFDQ

Supply

Reference voltage: DQ, DM VDD/2.

VSS

Supply

Ground.

VTT

Supply

Termination voltage: Used for control, command, and address VDD/2.

NC

No connect: These pins are not connected on the module.

NF

No function: These pins are connected within the module, but provide no functionality.

הערות טבלת תיאור הסיכה שלהלן היא רשימה מקיפה של כל הסיכות האפשריות לכל מודולי DDR3. כל הסיכות המופיעות במאי לא יתמכו במודול זה. ראה מטלות סיכה למידע ספציפי למודול זה.


תרשים בלוק פונקציונלי

4GB, 512MX64 מודול (2rank של x8)

1


2


הערה:
1. כדור ה- ZQ בכל רכיב DDR3 מחובר לנגד חיצוני 240Ω ± 1% הקשור לקרקע. הוא משמש לכיול של מנהל ההסכם והפלט של הרכיב.



מידות מודול


נוף קדמי

3

נוף קדמי

4

הערות:
1. כל הממדים נמצאים במילימטרים (סנטימטרים); מקסימום/דקה או טיפוסית (טיפוס) במקום שצוין.
2. סובלנות בכל הממדים ± 0.15 מ"מ אלא אם כן צוין אחרת.
3. התרשים הממדי מיועד להתייחסות בלבד.

קטגוריות מוצרים : אביזרי מודול חכם תעשייתי

שלח לחבר
  • *נושא:
  • *ל:
    Mr. Jummary
  • *אֶלֶקטרוֹנִי:
  • *הוֹדָעָה:
    ההודעה חייבת להיות בין 20 ל -8000 תווים
Homeמוצריםאביזרי מודול חכם תעשייתימפרטי מודול זיכרון DDR3 UDIMM
שלח חקירה
*
*

בית

Product

Phone

עלינו

חֲקִירָה

אנו ניצור איתך קשר באופן לאומי

מלא מידע נוסף כך שיוכל ליצור איתך קשר מהר יותר

הצהרת פרטיות: הפרטיות שלך חשובה לנו מאוד. החברה שלנו מבטיחה לא לחשוף את המידע האישי שלך לכל אקסני עם ההרשאות המפורשות שלך.

לִשְׁלוֹחַ